Чип-индуктивности

CDRH5D28RHPNP-4R7NC(s) 4,7 мкГн 2,8А

CR43NP-100MC(s) 10 мкГн 1,04А 20%

CDRH127NP-220MC(s) 22 мкГн

CDRH64BNP-221MC(s) 220 мкГн 0,29А

LQP10A2N7B00T1M00-01:0402-2,7нГн

LQP15MN2N7B:0402-2,7нГн (точность 0,1нГн )

CIH05H3N9SNS:0402-3,9нГн

LQP15MN3N9B:0402-3,9нГн (точность 0,1нГн )

LQP15MN4N7B02D:0402-4,7нГн

DO5022P-153 :0522 -15 мкГн-8А

DO5022P-154 :0522 -150 мкГн-2,6А

DO5022P-562 :0522 -5,6 мкГн-12А

DO5022P-684:0522 -680 мкГн -1,2А

SDR0604-221:0604-220 мкГн-350мА (d=5,8 h=4,8)

SDR0604-4R7ML:0604-4,7 мкГн-1,8А (d=5,8 h=4,8)

LQW2BHN47NJ:0805-0,047 мкГн-5%

MLZ2012DR10DT000-0805-0,1 мкГн-20%

LQG21NR15K10:0805-0,15 мкГн-10%

LQM21FN100N:0805-10 мкГн-60мА-30%

MLF2012DR12JT000-0805-120нГн-5%

B82498-F-0805-15 нГн-5%

B82498-F-0805-22 нГн-5%

MLF2012DR27JT000-0805-270 нГн-5%

B82498-F-0805-47 нГн-5%

MLF2012E5R6JT000-0805-5,6 мкГн-5%

LQW2BHN82NJ03L-0805-82 нГн-5%

FP4-150:10,2х6,8 0,15 мкГн - 40А

SDR1006-330KL:1006-33 мкГн-1500мА (d=9,8 h=5,8)

SDR1006-331KL:1006-330 мкГн-520мА (d=9,8 h=5,8)

LBC2518T100M:1007-10 мкГн-375мА (2,5х1,8)

LEMF2520T-100K:1008-10 мкГн-150мА (2,5х2,0)

LQM31PN1R0M00L:1206-1 мкГн-1,2 А-20%

LQH32MN1R0M:1210-1 мкГн-445 мА-20%

LQH32MN100K:1210-10 мкГн-190 мА-5%

LQH32PN100MN0L:1210-10 мкГн-700мА-20%

LQH32MN101K23L:1210-100 мкГн-80mA - 10 %

NLV32T-2R2J-PF-1210-2,2 мкГн 5% 320мА

LQH32M :1210-4,7 мкГн-224mA-10%

LQH3NPN220MGOL:1212-20 мкГн-410mА-20%

SDR1307-390K:1307-39 мкГн

LQH43CN1R0M03L:1812-1 мкГн-1080mA-20%

102К:1812-1000 мкГн

CM453232-3R3KL:1812-3,3 мкГн-335mA-10%

LQH43MN331K:1812-330 мкГн

CM453232-4R7KL:1812-4,7 мкГн

LQH43CN4R7M:1812-4,7 мкГн 20%

LQH4N5R6M04:1812-5,6 мкГн-500мА

LQH55DN2R2M:2220-2,2 мкГн -3200mA 20%

SRN5040-470M-5040-47 мкГн-1,1А

PCD1366CT-ND(ELL-6SH4R7M)6.4 x 6 x 3.3mm- 4,7 мкГн -2A +-20%

PCD1390CT-ND(ELL-6SH471M)6.4 x 6 x 3.3mm -470 мкГн-200 mA +-20%

ELL-6SH8R2M:6.4 x 6 x 3.3mm- 8.2 мкГн 1,4A

PCD1382CT-ND(ELL-6SH101M)6.4x 6 x 3.3mm- 100 мкГн-400 mA+-20%

MSS6122-103MX6122-10 мкГн-1,7А