IRL530N@INFIN; SP001578734; IRL530NPBF

IRL530NPBF, Транзистор N-MOSFET 100В 17А 79Вт 0.1Ом [TO-220AB.] [EOL]

#50
Цены: 238,50 руб. от 45 шт. 249,00 руб. от 10 шт. 262,50 руб. от 5 шт. 300,00 руб. от 2 шт. 360,00 руб. от 1 шт.	Доступно к заказу: 45 шт. Срок поставки: 2 рабочих дня
Корпус: TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Сайт производителя: www.infineon.com Документация: PDF-1 , PDF-2 , PDF-3 производитель:Infineon Technologies AG Manufacturer: Infineon Technologies Series: HEXFETВ® Packaging: Tube Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250ВµA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): В±16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3
IRL530NPBF #50
Цены: 255,00 руб. от 50 шт. 267,00 руб. от 28 шт.	Доступно к заказу: 208 шт. Срок поставки: 4 рабочих дня
Корпус: TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Сайт производителя: www.infineon.com Документация: PDF-1 , PDF-2 , PDF-3 производитель:Infineon Technologies AG Manufacturer: Infineon Technologies Series: HEXFETВ® Packaging: Tube Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250ВµA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): В±16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3
IRL530NPBF
Цены: 193,50 руб. от 10 шт. 238,50 руб. от 2 шт. 292,50 руб. от 1 шт.	Доступно к заказу: 90 шт. Срок поставки: 6 рабочих дней
Корпус: TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Сайт производителя: www.infineon.com Документация: PDF-1 , PDF-2 , PDF-3 производитель:Infineon Technologies AG Manufacturer: Infineon Technologies Series: HEXFETВ® Packaging: Tube Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250ВµA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (Max): В±16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3